フォトレジスト

EUV露光によるリソグラフィーは最先端の半導体微細加工技術で、今後の半導体性能の向上に欠かせない技術です。このEUVリソグラフィーに必須の材料が、EUVフォトレジストです。最先端のEUV技術には、その他の光源にはない特徴があります。その特徴...

フォトレジストは、マトリックス組成物に応じて有機系と無機系に分類できます。従来は主に有機系フォトレジストが使用されてきましたが、有機系フォトレジストには、EUV光源に対する吸収効率が低い、エッチングに対する耐性が低い、機械的強度が低い、LE...

半導体の微細化に伴い、フォトレジスト材料への要求水準が高くなっています。一般的なフォトレジストはマトリックスとして高分子化合物を使用していますが、フォトレジストの性能を改善するために低分子化合物をマトリックスとする分子レジスト（分子ガラスレ...

フォトレジストにはポジ型フォトレジストとネガ型フォトレジストの2種類があります。両タイプのレジストは用途・使用箇所により使い分けられます。この記事では、ネガ型フォトレジストとは何か、ネガ型フォトレジストリソグラフィーの仕組み、ネガ型フォトレ...

化学増幅型レジストは、1個の光量子の感光反応で生成した水素イオンが連鎖的に複数の反応を起こして感度を大幅に向上させるレジストです。化学増幅型レジストの代表例として、KrFレジストとArFレジストの化学構造や光照射による反応についてわかりやす...

g線（436 nm）、i線（365nm）のフォトレジストは、ノボラック樹脂、感光材、添加剤、溶媒の混合物です。これら構成成分について化学的に説明します。g線、i線フォトレジストとは？フォトレジストは半導体製造のリソグラフィーにおいてパターン...

半導体材料のひとつであるフォトレジストについて、半導体製造プロセスの中でどのように使用されるのか、フォトレジストとはどのような化合物でどのような働きをするのか、わかりやすく説明します。フォトレジストは光が照射された部分とされなかった部分で現...